| 摘要 |
Dans un réseau matriciel de cellules de mémoire rémanentes, chaque cellule (36) comprend une porte flottante (47) couplées par une grande et une petite capacitance (46, 44) à une première et une seconde région de substrat (42, 43). La cellule (36) comprend en outre un premier et un second transistor de sélection (49, 51) ayant des électrodes de portes validées par une ligne de rangées et des chemins de source/drain couplés respectivement entre la première et la seconde régions de substrat (42, 43), et une première et une second lignes de colonne (IOC1, R1). Les première et seconde régions de substrat (42, 43) communiquent avec des seconde et première régions de substrat correspondantes de cellules adjacentes dans la rangée. La programmation et la lecture de la cellule impliquent l'application de tensions appropriées aux première et seconde lignes de colonne (IOC1, R1) et à la première ligne de colonne (I1C2) d'une cellule adjacente. Un tel partage des lignes de colonne entre celllules adjacentes permet d'obtenir une densité d'implantation élevée. |
