用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备

摘要

用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备。依本法，把若干半导体材料基片放在炉管内安置的反应管内加热，在反应管壁上开有一些孔，反应气体经这些开孔流过，进行淀积半导体材料。为实现此法，在炉子管道内沿着反应管壁的外侧产生一个气体流，而且只有该气流的一部分经开孔通入反应器管道。使用此法防止在基片上淀积上在反应气体内可能形成的尺寸不同、成分不同的微粒。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，在该方法中，一些半导体材料基片被放在一反应管中加热，该反应管被置于一炉管之中并具有一开有多孔的管壁，用以在基片上沉积一材料层的反应气体通过所说的开孔进入反应管中，该反应气体进入开孔的过程是通过在炉管中沿反应管的管壁的外侧产生一个空气流动来完成的，此后，反应后的剩余气体通过反应管的一个开口端排放出去。其特征在于，反应气流中只有一部分经反应管管壁上的开孔通入反应管达到基片上，反应气流的余下部分，即没有进入反应管的部分直接从炉管和反应管中间的空间排走。