| 发明名称 |
PROCESS OF EPITAXIAL GROWTH WHEREIN THE DISTANCE BETWEEN THE CARRIER AND THE TRANSFER MATERIAL IS ADJUSTED TO EFFECT EITHER MATERIAL REMOVAL FROM THE CARRIER SURFACE OR DEPOSITION THEREON |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
US3425878(A) |
申请公布日期 |
1969.02.04 |
| 申请号 |
USD3425878 |
申请日期 |
1966.02.16 |
| 申请人 |
SIEMENS AG. |
发明人 |
HANSJURGEN DERSIN;ERWIN FRUCHTE |
| 分类号 |
C01B33/12;H01L21/00;H01L21/205;(IPC1-7):H01L7/36 |
主分类号 |
C01B33/12 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
