| 摘要 |
<p>Bei einer solchen Bestrahlungsmaske ist in einem Tragrahmen (1) eine Trägerschicht (2) für eine Struktur (8) befestigt. Durch die Befestigung der Trägerschicht (2) im Tragrahmen (1) können aber Spannungskomponenten auftreten, die zu einer Verzerrung der Trägerschicht (2) führen, die die Maßhaltigkeit der Struktur (8) beeinträchtigt. Zur Gewährleistung der Maßhaltigkeit der Struktur (8) bei auftretenden Spannungskomponenten weist die Trägerschicht (2) im Randbereich (9) zwischen der Struktur (8) und dem Tragrahmen (1) einen elastischen Bereich (10) auf, der durch zwei Reihen von gegeneinander versetzten Perforationen (11) gebildet ist, die den Strukturbereich (7) mit der Struktur (8) umgeben und damit den Strukturbereich (7) von den vom Tragrahmen (1) ausgehenden Spannungskomponenten isolieren. Die Bestrahlungsmaske dient insbesondere zur Erzeugung von optischen Gittern sowie von Halbleiterbauelementen durch Röntgenlithographie oder Ionenlithographie (Figur 1).</p> |
