| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un circuit de lecture pour circuit intégré de type circuit logique comportant une mémoire constituée par une matrice de cellules-mémoire, les cellules-mémoire étant adressables chacune par des lignes et des colonnes sélectionnées par des décodeurs de ligne et de colonne, le circuit de lecture étant relié aux cellules-mémoire par une ligne appelée ligne de bit et comprenant un circuit de précharge (12) de la ligne de bit et un circuit de détection (11) détectant la décharge ou la non-décharge de la ligne de bit suivant l'état "O" ou "1" de la cellule-mémoire sélectionnée et comportant un moyen (16) de mémorisation de l'état lu. Ce circuit comporte de plus des moyens permettant, en mode lecture, de décharger la ligne de bit quel que soit l'état "1" ou "0" de la cellule-mémoire et des moyens retardant le moment de la décharge. Application : les mémoires EPROM ou similaires.</p> |
