| 发明名称 |
VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF 3-V COMPOUND SEMICONDUCTOR USING INDIUM, TO WHICH IRON IS DOPED, AS BASE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS63193897(A) |
申请公布日期 |
1988.08.11 |
| 申请号 |
JP19880007669 |
申请日期 |
1988.01.19 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPH & TELEGR CO <ATT> |
发明人 |
UIRUBAA DEII JIYONSUTON JIYUNIA;JIYUDEISU AN RONGU;DANIERU POORU UIRUTO |
| 分类号 |
B42D15/08;B65D27/10;C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/00;H01L33/30;H01S5/223;H01S5/227;H01S5/24 |
主分类号 |
B42D15/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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