| 发明名称 | 氧化物超导体 | ||
| 摘要 | 一种高临界温度氧化物超导体，包括具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示：(Ba<SUB>X</SUB>Sr<SUB>z</SUB>La<SUB>1-x-z</SUB>)<SUB>2</SUB>Cu<SUB>1-w</SUB>Ag<SUB>w</SUB>O<SUB>4(1-y)</SUB>其中0.1＜x+z＜0.3，W＝0，y≥0；或0≤x＜1，0≤z1，0＜w＜1，y≥0。一种至少具有CuO<SUB>6</SUB>八面体的CuO<SUB>5</SUB>五面体中之一的氧化物超导体，其中A<SUB>3</SUB>Cu<SUB>3</SUB>O<SUB>7</SUB>型氧化物超导体中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN88100501A | 申请公布日期 | 1988.08.10 |
| 申请号 | CN88100501 | 申请日期 | 1988.01.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 长谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 |
| 分类号 | H01B12/00;H01L39/24 | 主分类号 | H01B12/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 沙捷 |
| 主权项 | 1、一种氧化物超导体，特点为包括一种具有类似于钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示：其中0.1＜x+z＜0.3，w=0，及y≥0；或者0≤x＜1，0＜z＜1，0＜w＜1，及y≥0。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||