发明名称 | 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺 | ||
摘要 | 同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性,结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域,该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。 | ||
申请公布号 | CN88100546A | 申请公布日期 | 1988.08.10 |
申请号 | CN88100546 | 申请日期 | 1988.01.30 |
申请人 | 得克萨斯仪器公司 | 发明人 | 拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 |
分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 傅远 |
主权项 | 1、一种制作双极型晶体管的方法,包括下列步骤:在基片上形成一由场绝缘体围绕的半导体池,在所述的半导体池中形成基极、发射极和集电极半导体区,形成一个覆盖在所述的发射极区上的导电多晶硅层,形成与每一所述的基区、多晶硅和集电极区接触的金属条带,所述的多晶硅在所述的场绝缘体上横向延伸,使所述的金属起反应以形成导电硅化物接触条带,以及,形成与每一所述的硅化物接触条带相接触的端电极。 | ||
地址 | 美国得克萨斯州 |