| 发明名称 |
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI INTEGRATI CMOS CON LUNGHEZZE DI GATE RIDOTTE E DRAIN LEGGERMENTE DROGATO |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8883655(D0) |
申请公布日期 |
1988.08.04 |
| 申请号 |
IT19880083655 |
申请日期 |
1988.08.04 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.P.A |
发明人 |
CARLO BERGONZONI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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