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发明名称 METHOD OF PRODUCING ADJACENT TUBS IMPLANTED WITH DIFFERENT CONDUCTIVITY-TYPE IONS FOR HIGHLY INTEGRATED CMOS DEVICES
摘要
申请公布号 EP0250722(A3) 申请公布日期 1988.08.03
申请号 EP19870104508 申请日期 1987.03.26
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 NEPPL, FRANZ, DR.;MAZURE-ESPEJO, CARLOS-ALBERTO, DR.
分类号 H01L27/092;H01L21/033;H01L21/265;H01L21/32;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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