发明名称 含铬和镍钴族元素的放氢电极及其制造方法
摘要
申请公布号 TW060344 申请公布日期 1984.08.01
申请号 TW07214064 申请日期 1983.11.25
申请人 旭化成工业股份有限公司 发明人 日木弘之;野秋康秀
分类号 C25B11/04 主分类号 C25B11/04
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号白宫企业大楼一一一二室
主权项 1.一种放氢电极,包括导电作用物,其上具有涂层含铬成分及至少一金属选自镍和钴组成之团之氧化物,该铬成分之比例,换算成原子百分比,为0.5—20%,该原子百分比以下面之式界定Acr 100 (1)A其中,Acr表示涂层内铬原子数,A 表示涂层内铬及该至少一金属之整个原子数者。2.依照请求专利部份第1.项之电极,其中,该涂层进一步包含选自镍和钴之团之至少一金属者。3.依照请求专利部份第2.项之电极,其中,该涂层包含至少一金属选自镍和钴组成之团之氧化物,换算成氧化度,其量为20—100%,该氧化度以下面之式界定H1 100H1+H0其中,当涂层由X线绕射测定法分析时,H0表示选自镍和钴组成之团之金属其最高密度X线绕射线之尖峰高度,或如果涂层包含镍和钴时,表示镍和钴最高密度X线绕射线之尖峰高度之各算术平均値;H1表示该金属氧化物最高密度X线绕射线之尖峰高度,或如果涂层包含镍氧化物和钴氧化物时,表示镍氧化物和钴氧化物最高密度X线绕射线之尖峰高度之各算术平均値者。4.依照请求专利部份第1.—3.项中任一项之电极,其中,该导电作用物乃由选自镍,镍合金以及沃斯田铁型不锈铜之抗侵蚀材料所制成者。5.依照请求专利部份第1.—4.项中任一项之电极,其中,该涂层系由镍,镍氧化物以及铬成分所组成者。6.一种制造如第1.项的放氢电极之方法,包括:(1)形成一种混合物,其由至一元素选自镍,钴,镍和钴之氧化物,镍和钴之氢氧化物,镍和钴之有机酸盐及镍和钴之无机酸盐组成第一团之微细粉末,以及至少一元素选自铬,铬氧化物,铬氢氧化物,铬有机酸盐及铬无机酸盐组成之第二团之微细粉末所形成者,以及(2)以熔融喷雾方法,将所得之混合物涂敷在导电作用物上者。7.依照请求专利部份第6.项之方法,其中,在步绕(1)内,混合物之形成系由混合粉末完成,按着以成粒作用获得呈粒状之混合物者。8.依照请求专利部份第7.项之方法,其中,至少一元素选自第一团之该微细粉末以及至少一元素选自第二团之该微细粉末,各具有粒子大小5um或以下者。9.依照请求专利部份第6.一8.项中任一项之方法,在步骤(1)内混合物之形成,加入至少一元素选自钼,锌,锡,钨,铝和矽及其氧化物组成之第三团之微细粉末者。
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