发明名称 PROCESS FOR PRODUCING THIN SINGLE CRYSTAL SILICON ISLANDS ON INSULATOR
摘要 <p>A semiconductor fabrication process uses an epitaxial layer (21) as an etch stop in a plasma etch process. In one embodiment, mechanical stops and an epitaxial layer are used in combination for stopping precisely at a desired end point.</p>
申请公布号 WO1988005600(A1) 申请公布日期 1988.07.28
申请号 US1988000241 申请日期 1988.01.26
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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