Monolithic integrated memory including a read differential amplifier circuit.

摘要

Mémoire monolithiquement intégrée comprenant un circuit amplificateur différentiel de lecture associé à une colonne de cette mémoire, comprenant deux transistors à effet de champ couplés par leur source, le point de couplage de ces transistors étant commandé par une source de courant et cette dernière étant commandée par la sortie d'un étage décodeur permettant la sélection de la colonne de mémoire, les grilles de chacun des transistors couplés recevant le signal d'une ligne de bit de la colonne de la mémoire et les drains de ces transistors couplés fournissant un signal porté sur le bus de lecture de la mémoire caractérisé en ce qu'il lui est adjoint un circuit translateur des niveaux des signaux transportés par les lignes de bit pour que ces niveaux soient au plus égaux aux niveaux des signaux portés par le bus de lecture en sorte que les capacités grille-drain des transistors couplés de l'amplificateur différentiel sont négligeables.