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发明名称 METHOD FOR LEAKAGE CURRENT CHARACTERIZATION IN THE MANUFACTURE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
摘要
申请公布号 EP0113087(B1) 申请公布日期 1988.07.27
申请号 EP19830112635 申请日期 1983.12.15
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 CHAKRAVARTI, SATYA NARAYAN;GARBARINO, PAUL LOUIS;MILLER, DONALD ABRAM
分类号 H01L27/10;H01L21/66;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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