SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED METALLIZATION.

摘要

Un procédé de déposition en phase gazeuse par voie chimique à basse température est utilisé pour encapsuler des conducteurs métalliques (5) sur la surface d'un substrat de silicium (11) pour former des conducteurs bimétalliques. Le matériau réfractaire (9) est de préférence du tungstène. Les conducteurs bimétalliques se trouvent sur un substrat (1) et sont en contact avec des parties sélectionnées du substrat à travers des ouvertures (7) ménagées dans la couche diélectrique (3).