| 发明名称 | 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为99.99％的氮气或氩—氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶，其氧含量可低于10ppma，碳含量可低于1ppma掺入氮含量小于4.5×10<SUP>15</SUP>cm<SUP>3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN88100307A | 申请公布日期 | 1988.07.27 |
| 申请号 | CN88100307 | 申请日期 | 1988.01.20 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 李立本;阙端麟 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B27/02 | 主分类号 | C30B29/06 |
| 代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
| 主权项 | 1、一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，包括外加磁场为1000～5000高斯，坩埚转速为5～20转/分，坩埚内多晶投料量为20～60kg，晶体转速为10～30转/分，拉速为0.8～1.5毫米/分，晶体直径为2″～6″，其特征在于采用99.99%以上的氮气或氩-氮混合气作为保护气体，炉内气体压力为5～80托，气体流量为4～16m3/hr。 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市玉泉 | ||