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发明名称 PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED BY SAID PROCESS
摘要
申请公布号 EP0235819(A3) 申请公布日期 1988.07.27
申请号 EP19870103146 申请日期 1987.03.05
申请人 IIZUKA, KOZO 发明人 SUGAHARA, KAZUYUKI C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;NISHIMURA, TADASHI C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;KUSUNOKI, SHIGERU C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;INOUE, YASUO C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
分类号 H01L21/20;H01L21/268;H01L21/822;H01L29/04;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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