功率半导体器件的电极引出技术

摘要

本发明通过制作一组导电、绝缘薄膜，对半导体器件芯片表面电极进行有选择的电镀，并在电镀层上加金属压块或焊接引线。从而构成完整的主电极引出工艺。本发明能满足可关断晶闸管(GTO)一类器件精细的多个孤立主电极的并联引出要求，也可同样方便地用于巨型晶体管(GTR)、门极辅助关断晶闸管(GATT)等一般功率半导体器件的制造工艺。本发明可采用平面工艺，允许有较高集成度。使用设备简单、成本低廉、可靠性好，并适合于大批量生产。

主权项

1、一种功率半导体器件的电极引出工艺，本发明特征是，在功率半导体器件芯片上制作各电极的导电基底层，此芯片上再加绝缘介质膜作为隔离层，隔离层开有窗口，窗口位置与各单元主电极基底层一一对应，以保证主电极电流基本垂直地流过基底层，在隔离层上面有一连通导电薄膜作为连通层，使连通层与隔离层窗口内的主电极基底层连通，连通层上加绝缘介质膜作为电镀屏蔽层，在屏蔽层选定部位开窗，即电镀窗，在屏蔽层下电镀窗位置有一金属膜作为电镀底层，以芯片上连通层作为电镀阴极的连接导体，放在电镀槽内电镀金属层，再除去屏蔽层和电镀窗外的连通层、隔离层(如作为钝化膜，则可保留)，最后在电镀层上加导电、导热性能良好的平整金属压块以压接方式封装，从而构成完整的主电极并联引出结构，芯片的其它电极可以采用各种常规方法引出。