磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置

摘要

KTP单晶的熔盐生长方法，是一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4，简称KTP)的生长方法。本发明采用KTiOPO4化合物为原料、多磷酸钾为熔剂生长KTP单晶的熔盐生长法。介绍了晶体生长所需要的装置和必要的参数，指出KTiO-PO4化合物和多磷酸钾的重量比为1∶19～2∶3之间，生长条件是：先升温至950°～1100℃，然后降温至920°～800℃，并使熔体产生相对运动，保持0.5°～5℃/cm的温度梯度，生长周期为10～60天，能长出最大为13×20×15mm3的KTP单晶。

主权项

1.一种KTP单晶的熔盐生长方法，以磷酸氧钛钾化合物为原料，多磷酸钾盐为熔剂，两者按1∶19～2∶3的比例混匀，装入敞口的铂金坩埚，在950°～1100℃下熔融并均化，然后以10°～30℃/小时的速度降至结晶温度，恒温5～50小时，使坩埚旋转并将冷却杆与坩埚底部中心接触，将预置于熔体液面上方的籽晶插到熔体底部，同时向冷却杆通入冷却介质进行晶体生长，在生长的整个过程中，熔体以0.5°～5℃/天的速度降温，并保持0.5～5℃/cm的温度梯度，其特征在于使用压缩氮气作为冷却介质，冷却杆与埚底接触面的直径不大于2mm，籽晶杆是用包铂箔的带孔氧化铝陶瓷杆。