Method for controlling and checking an etch-process made by a plasma with active ions, radicals and/or neutral particles specially used for very high integrated semiconductor circuits.

摘要

Bei einem Verfahren zur Steuerung und Kontrolle von durch im Plasma aktivierte Ionen, Radikale und/oder neutrale Teilchen bewirkten Ätzprozessen (sogenanntes Trockenätzen) werden die Ätzrate und der Endpunkt des Materialabtrages mit Hilfe eines auf dem beweglichen Substrathalter (7, 17) im Rezipienten (22) befindlichen Referenzsubstrates von definierten Probengeometrie durch Messung des elektrischen Widerstandes (25) in Abhängigkeit von der Schichtdicke der elektrisch leitenden Schicht (1, 11) bestimmt und die Meßdaten berührungsfrei durch elektromagnetische Strahlung im Pulscodemodulationsverfahren übertragen, wobei ein telemetrisches Meßsystem (18) verwendet wird, welches als unabhängige Einheit an den beweglichen Substrathalter (7, 17) montiert ist. Auf diese Weise können die Ätzparameter im Plasma genau überwacht und gegebenenfalls mit Hilfe eines Prozeßrechners (30) gesteuert werden. Durch die direkt an der abzutragenden Schicht (1, 11) durchgeführten Messungen entfallen die bis jetzt am Plasma vorgenommenen schwierig durchzuführenden Untersuchungen. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von Strukturen von metallisch leitenden Schichten im subµmBereich.