| 摘要 |
Un MOSFET vertical (10) dans une tranche de silicium ayant des surfaces principales opposées comprend une électrode de source (46) sur une surface (14), une électrode de drain (44) sur la seconde surface (42) et une porte isolée (18) disposée à l'intérieur. Le silicium entre la porte isolée (18) et chacune des surfaces principales est d'un premier type de conductivité et le silicium (20) qui est adjacent latéralement à la porte isolée (18) est du second type de conductivité, de sorte qu'une tension prédéterminée sur la porte isolée (18) crée un canal d'inversion s'étendant sur une distance prédéterminée (D) dans le silicium latéralement adjacent. La portion du silicium latéralement adjacent (20) où le canal d'inversion est formé est constituée d'un matériau relativement faiblement dopé (30), tandis que d'autres régions du silicium latéralement adjacent (20) sont relativement fortement dopées (32). Le silicium qui se trouve entre la porte isolée (18) et chaque surface de la tranche comprend une région supportant les tensions électriques et relativement faiblement dopée (16, 38) contiguë à la porte isolée (18) et au silicium latéralement adjacent (20), ainsi qu'une région relativement fortement dopée (12, 40) entre cette région supportant les tensions et la surface. De plus, l'interface (26) entre la porte isolée (18) et le silicium latéralement adjacent (20) possède une faible densité d'états d'interface. |
