应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法

摘要

一种用于在基底中制做窗口的方法，利用反应离子刻蚀技术，在基底上形成台面。在整个结构上淀积一膜层，并且将台面有选择地刻蚀掉，以在膜层中形成亚微米尺寸的窗口。用膜层作掩模，被掩模所露出的基底被反应离子蚀刻。给出了制做多晶硅基区双极性晶体管的发射区掩模的例子。

主权项

1.用选择性刻蚀在基底中制做窗口的方法，它包括用反应离子刻蚀侧壁技术在基底上形成台面的步骤，其特征在于下列步骤：将膜层淀积在所述基底的顶部和所述台面的顶部，而不淀积在所述台面的测壁上；用有选择性腐蚀所述台面的测壁而不腐蚀所述膜层的方法，将所述台面及其顶部的所述膜层完全除去，这样，所述膜层便只保留在除所述台面之外的位置的基底顶部上；用膜层作为刻蚀掩模，有选择地刻蚀所述基底，由此形成所述窗口。