CIRCUIT AMPLIFICATEUR DE LECTURE POUR UNE MEMOIRE RAM STATIQUE

摘要

CIRCUIT AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL DE LECTURE POUR UNE MEMOIRE RAM STATIQUE, ASSOCIE A UNE COLONNE DE CETTE MEMOIRE, COMPRENANT DEUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP COUPLES PAR LEUR SOURCE, LE POINT DE COUPLAGE DE CES TRANSISTORS ETANT COMMANDE PAR UNE SOURCE DE COURANT ET CETTE DERNIERE ETANT COMMANDEE PAR LA SORTIE D'UN ETAGE DECODEUR PERMETTANT LA SELECTION DE LA COLONNE DE MEMOIRE, LES GRILLES DE CHACUN DES TRANSISTORS COUPLES RECEVANT LE SIGNAL D'UNE LIGNE DE BIT DE LA COLONNE DE LA MEMOIRE RAM STATIQUE ET LES DRAINS DE CES TRANSISTORS COUPLES FOURNISSANT UN SIGNAL PORTE SUR LE BUS DE LECTURE DE LA MEMOIRE CARACTERISE EN CE QU'IL LUI EST ADJOINT UN CIRCUIT TRANSLATEUR DES NIVEAUX DES SIGNAUX TRANSPORTES PAR LES LIGNES DE BIT POUR QUE CES NIVEAUX SOIENT AU PLUS EGAUX AUX NIVEAUX DES SIGNAUX PORTES PAR LE BUS DE LECTURE EN SORTE QUE LES CAPACITES GRILLE-DRAIN DES TRANSISTORS COUPLES DE L'AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL SONT NEGLIGEABLES.

APPLICATION : REALISATION DE MEMOIRES RAM STATIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM.