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发明名称
SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
A spare Y decoder is provided with MOS transistors 14 and 20 for charge on both sides of a parasitic resistor 19. As a result, nodes N1 and N2 are rapidly charged by the MOS transistors 20 and 14 for charge, respectively.
申请公布号
EP0195631(A3)
申请公布日期
1988.06.22
申请号
EP19860301928
申请日期
1986.03.17
申请人
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人
MASHIKO, KOICHIRO C/O MITSUBISHI DENKI;MOROOKA, YOSHIKAZU C/O MITSUBISHI DENKI;YAMAGATA, TADATO C/O MITSUBISHI DENKI;IKEDA, YUTO C/O MITSUBISHI DENKI
分类号
G11C11/408;G11C29/00;(IPC1-7):G06F11/20
主分类号
G11C11/408
代理机构
代理人
主权项
地址
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