PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE ISOLANTE CONTINUE ENTERREE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PAR IMPLANTATION IONIQUE,申请号FR19850007120-传众专利搜索

发明名称	PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE ISOLANTE CONTINUE ENTERREE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PAR IMPLANTATION IONIQUE
摘要
申请公布号	FR2581795(B1)	申请公布日期	1988.06.17
申请号	FR19850007120	申请日期	1985.05.10
申请人	GOLANSKI ANDRZEJ	发明人
分类号	H01L21/265;H01L21/322;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/84	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
主权项
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