发明名称 | 离子层对铝阴极的保护技术 | ||
摘要 | 一种离子层对铝阴极的保护技术属于气体放电电子器件生产工艺。该技术将锆铝汞片点焊在氧化的铝阴极上,再将铝阴极装入电子器件中并抽真空,再用高频电炉对铝阴极和锆铝汞片除气后,用高频炉加热线圈对锆铝汞片加热激活并同时释放汞蒸汽,形成汞离子保护层。该离子层可以保护铝冷阴极,防止溅射现象发生,延长该类器件的工作寿命。该技术已用于内腔式玻璃结构的氦氖激光管生产中。 | ||
申请公布号 | CN86107507A | 申请公布日期 | 1988.06.15 |
申请号 | CN86107507 | 申请日期 | 1986.10.21 |
申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 王喜山 |
分类号 | H01J9/02;H01J1/30;H01S3/22 | 主分类号 | H01J9/02 |
代理机构 | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人 | 崔日新;娄安境 |
主权项 | 1、一种离子层对铝阴极的保护技术,利用放电氧化法,将铝阴极在纯氧中完善氧化,形成氧化层。本发明的特征在于,将锆铝汞片点焊在铝阴极上,对铝阴极和锆铝汞片除气后,再加热激活锆铝汞片,使其释放汞蒸气。 | ||
地址 | 山东省济南市文化东路 |