Method of producing a monolithic integrated circuit comprising at least one bipolar planar transistor.

摘要

Bei dem Verfahren wird zunächst in bekannter Weise der Emitterbereich (6) und der Kollektorbereich mit je einem Oxidationsmaskierungsschichtteil (71, 72) abgedeckt, nach Implantation von Ionen des Leitungstyps der Basiszone durch thermische Oxidation ein den Emitterbereich (6) umgebender Oxidstreifen (21) hergestellt und nach Entfernung der Oxidationsmaskierungsschichtteile (71, 72) eine Schichtenfolge (9, 10) aufgebracht, welche zumindest eine zuoberst liegende Deckschicht (10) und eine darunterliegende dotierte Silicidschicht (9) enthält. Die Schichtenfolge (9, 10) wird unter Anwendung eines maskierten anisotropen Ätzprozesses durch den Oxidstreifen (21) hindurch in die Emitterelektrode (61) und die Kollektorelektrode (32) aufgeteilt, aus denen die Emitterzone (4) und die Kollektorkontaktierungszone (31) diffundiert werden.