| 发明名称 |
SELECTIVE EPITAXY BI-CMOS PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS63140562(A) |
申请公布日期 |
1988.06.13 |
| 申请号 |
JP19870250822 |
申请日期 |
1987.10.06 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
发明人 |
POORU EFU HAUERU |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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