| 发明名称 |
DISPOSITIF DU TYPE SEMICONDUCTEUR SUR ISOLANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR.SELON L'INVENTION, IL COMPREND UNE COUCHE D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR 16 SUR UN SUBSTRAT ISOLANT 10, UN MOYEN 14 DANS LE SUBSTRAT 10 POUR MINIMISER L'ACCUMULATION DES PORTEURS DE CHARGES DANS LE SUBSTRAT ET LE RASSEMBLEMENT DE CES PORTEURS INJECTES DU SUBSTRAT DANS LA COUCHE DU MATERIAU SEMICONDUCTEUR ET UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR 20 DISPOSE DANS LA COUCHE DU MATERIAU SEMICONDUCTEUR.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR RESISTANT AU RAYONNEMENT.
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| 申请公布号 |
FR2607965(A1) |
申请公布日期 |
1988.06.10 |
| 申请号 |
FR19870017083 |
申请日期 |
1987.12.08 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
RONALD KEITH SMELTZER;ALVIN MALCOLM GOODMAN;GEORGE LUTHER SCHNABLE |
| 分类号 |
H01L27/12;H01L21/20;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/84 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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