| 摘要 |
Un masque (10) utile dans des techniques de lithographie par rayons X et par faisceaux ioniques masqués est préparé à partir d'une tranche polie (12) de silicium cristallin en ajoutant une couche supérieure de silicium (18) ayant un dopant de type p de taille ionique inférieure au silicium, en appliquant des couches de nitrure de silicium sur les surfaces supérieure (14) et inférieure (16), en formant par attaque chimique sélective une fenêtre (24) sur la surface inférieure (16) jusqu'à la couche (18) de silicum à dopage p pour former une membrane de silicium dopée en tension, à former par attaque chimique un motif dans la couche de nitrure de silicium (20) sur la surface supérieur (14), puis à former par attaque chimique un motif d'exposition traversant partiellement la membrane de silicium à dopage p. Le masque résultant est sensiblement monolithique et consiste essentiellement en une seule matière ne subissant pas de contraintes de distorsion internes significatives dues à une discordance d'expansion thermique pendant le chauffage et le refroidissement ultérieurs lorsqu'il est exposé aux faisceaux ioniques ou aux rayons X. |
