| 发明名称 |
PROVISION OF A SUB-HALF-MICRON-SIZE RECESS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0152164(A3) |
申请公布日期 |
1988.06.08 |
| 申请号 |
EP19850300087 |
申请日期 |
1985.01.07 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
GHOSH, CHUNI LAL |
| 分类号 |
H01L29/812;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/417;(IPC1-7):H01L21/00;H01L21/28;G03F7/26 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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