发明名称 | 采用MOS器件接近开关 | ||
摘要 | 采用MOS器件的接近开关中使用了两MOS器件,一用于整形放大,另一用于末级功率放大,从而使接近开关体积缩小,成本降低,功率增大,抗干扰能力强。能在零下20℃低温下或50℃高温下工作。适用于各种定位控制或信号检测的装置或场合。 | ||
申请公布号 | CN87211201U | 申请公布日期 | 1988.06.08 |
申请号 | CN87211201 | 申请日期 | 1987.09.17 |
申请人 | 夏士华 | 发明人 | 夏士华 |
分类号 | H03K17/945 | 主分类号 | H03K17/945 |
代理机构 | 上海工业大学专利事务所 | 代理人 | 贾泽才;陶鑫良 |
主权项 | 1、一种无接触电磁感应的接近开关,由高频振荡、整形放大、末级功放,电路封装固定在金属壳体内组成,其特征在于整形放大和末级功放采用MOS器件。 | ||
地址 | 江苏省兴化县英武街东二巷1号 |