半导体器件

摘要

一种半导体器件，其芯片是用锡——铜合金焊料固定到引线架上的。其中第一层金属层是插置于芯片和焊料中间的。形成的第一金属层的厚度在2000A°到3μm的范围之内，是由钛、铬、钒、锆、铌中选取的一种金属，或至少包括一种上述金属的一种合金构成的。由镍、钴或至少含有一种上述金属的一种合金制备的第二金属层插置在第一层金属和焊料之间，其厚度小于第一金属层。

主权项

1、一种半导体器件，其半导体芯片是用含有锡和铜的合金制备的焊接材料固定到基座上的，一金属层插置到上述焊接材料和上述半导体芯片之间，其特征在于：上述金属层包括具有厚度范围在2000到3um之间，它是由钛、钒、铬、锆和铌所组成的组中选取的一种金属构成的第一金属层或含有不低于75原子%的一种上述金属的一种合金构成的第一金属层。