发明名称 FET ELECTRODE
摘要 La surface d'un film isolant au niveau de la porte d'un transistor à effet de champ sélectif aux ions (ISFET) (10) est recouverte d'un mince film de carbone (4) et la surface de ce film est encore recouverte d'un film de xylénol-2,6 polymérisé électrolytiquement (3). L'ISFET résultant présente une sélectivité aux ions hydrogène, une faible dérive mais une grande stabilité et est pratiquement insensible à la lumière. Lorsque la surface du film polymère de xylénol-2,6 (3) est recouverte d'autres films sélectifs aux ions ou présentant une activité enzymatique, il est possible de mesurer les concentrations de différents ions et substrats vivants.
申请公布号 WO8804049(A1) 申请公布日期 1988.06.02
申请号 WO1987JP00900 申请日期 1987.11.19
申请人 TERUMO KABUSHIKI KAISHA 发明人 SHIMOMURA, TAKESHI;YAMAGUCHI, SHUICHIRO;SUZUKI, TAKANAO;OYAMA, NOBORU
分类号 G01N27/414;(IPC1-7):G01N27/30 主分类号 G01N27/414
代理机构 代理人
主权项
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