发明名称 | 线性负温度系数热敏材料 | ||
摘要 | 本发明公开了一种线性负温度系数陶瓷热敏材料的制造方法,用以制造具线性负温度系数的热敏电阻器。采用CoO—Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>—Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷系,构造具有尖晶石结构的半导体陶瓷<img file="87101848_ab_0.GIF" wi="350" he="45" />当:0≤X≤2,发生Fe<sup>3+</sup>部分替代Co<sup>3+</sup>的半导体陶瓷具有较大的电阻负温度系数(~-3.5%/℃),较大的常数B值(~5500K),在-20~+200℃范围内,电阻与温度呈线性关系,并且特性对测试频率和电压非常稳定,不随时间改变。 | ||
申请公布号 | CN87101848A | 申请公布日期 | 1988.06.01 |
申请号 | CN87101848 | 申请日期 | 1987.03.09 |
申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 武明堂;孙鸿涛;李平 |
分类号 | H01C7/04;C04B35/32 | 主分类号 | H01C7/04 |
代理机构 | 西安交通大学专利事务所 | 代理人 | 徐文权 |
主权项 | 1、一种由过渡金属氧化物制成的具尖晶石结构的半导体陶瓷热敏材料和相应热敏电阻器的制造方法,其特征在于选择CoO-Co2O3-Fe2O3陶瓷系,构造具尖晶石结构的半导体陶瓷: Co2+(Fex3+Co2-x3+)O4,0≤X≤2。 | ||
地址 | 陕西省西安市咸宁路28号 |