发明名称 LOW TEMPERATURE PROCESS FOR ANNEALING SHALLOW IMPLANTED N+/P JUNCTIONS
摘要
申请公布号 EP0146233(B1) 申请公布日期 1988.06.01
申请号 EP19840307173 申请日期 1984.10.18
申请人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION 发明人 ROHATGI, AJEET;SINGH, RANBIR;RAI-CHOUDHURY, PROSENJIT;FONASH, STEPHEN JOSEPH;GIGANTE, JOSEPH ROBERT
分类号 H01L21/324;H01L21/265;H01L21/30;H01L31/04;(IPC1-7):H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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