Security circuit for programming a non-volatile electrically programmable memory.

摘要

La présente invention concerne un dispositif de sécurité pour la programmation d'une mémoire non volatile programmable électriquement. Dans une mémoire constituée par une matrice de cellules-mémoire (1) accessibles chacune par des lignes et des colonnes et reliées à des circuits d'écriture (E) et de lecture (L) permettant respectivement de les programmer dans deux états "1" ou "0" selon les données en entrée et de lire l'état programmé, les cellules mémoire étant du type nécessitant un courant de programmation pour être programmées dans un premier état ou "1" et ne demandant aucun courant pour être programmée dans un second état ou "0", le dispositif de sécurité est constitué par un circuit de simulation (E2) activé (14) par les données correspondant à une programmation à "0" et débitant un courant identique à celui d'une cellule-mémoire en condition de programmation à "1". L'invention s'applique notamment aux mémoires EPROM utilisées dans les cartes à mémoire.