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发明名称 METHOD OF MAKING A GAAS SEMICONDUCTOR DEVICE BY ION IMPLANTATION, AND SUBSTRATE AND DEVICE SO OBTAINED
摘要
申请公布号 EP0075368(B1) 申请公布日期 1988.06.01
申请号 EP19820201147 申请日期 1982.09.16
申请人 LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE L.E.P.;N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN 发明人 BERTH, MICHEL SOCIETE CIVILE S.P.I.D.;VENGER, CAMILLE SOCIETE CIVILE S.P.I.D.;GERARD, MARIE MARTIN SOCIETE CIVILE S.P.I.D.
分类号 H01L21/265;H01L21/31;H01L21/322;H01L21/324;H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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