| 摘要 |
<p>Dans des composants à semiconducteur commutable, à contact par pression, et comportant une électrode de contact subdivisée dans le corps du semiconducteur, on obtient un comportement en commutation amélioré à l'aide de résistances spécifiques dans le trajet du courant des régions de zone d'émission, grâce au fait qu'une couche de métallisation de base (6) est appliquée à chaque partie de zone de base située entre deux régions de zone d'émission, et qu'une couche isolante (8) est appliquée à chaque couche de métallisation de base, s'étendant jusque sur le bord respectif des deux régions de zone d'émission, et que, sur la couche isolante, est appliquée une couche de métallisation d'émission (8) du type traversant qui recouvre la couche isolante et les surfaces libres des régions de zone d'émission. Les parties superficielles de la couche de métallisation d'émission, qui se trouvent respectivement sur une couche de métallisation de base, portent une plaque de contact (10), par exemple en molybdène. La couche de métallisation d'émission est dimensionnée de telle sorte que la chute de tension latérale respective entre la plaque de contact et le plan de symétrie d'une section adjacente de zone d'émission dépasse 10 mV lors du fonctionnement à la charge nominale.</p> |
