| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR MOS 10" COMPRENANT UNE PAIRE DE REGIONS DE CANAL 28", 30" SEPAREES PAR UNE REGION DE COUPLAGE 20" FORTEMENT CONDUCTRICE. LA SOURCE 16", 36", LE DRAIN 18", 38" ET LA REGION DE COUPLAGE 20" DU TRANSISTOR 10" ONT LA MEME POLARITE, TANDIS QUE LES DEUX REGIONS DE CANAL 28", 30" SONT DE LA POLARITE OPPOSEE. LA STRUCTURE A DOUBLE CANAL PROCURE UN MEILLEUR CONTROLE DE LA LONGUEUR DU CANAL ET, LORSQU'ON LA COMBINE A UNE PARTIE DE DRAIN FAIBLEMENT DOPEE 38", PRESENTE UNE SENSIBILITE REDUITE A L'EFFET DES ELECTRONS CHAUDS.</P>
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