| 主权项 |
1.一种气闸包括一较狭通道,用以(1)工作式连接一对相邻沈积室及(2)实质上减少气体自该对室之第一室反扩散至第二室;基质物料适宜自该对室之在其中沉积第一半导体层于其一表面上之第一室进行至该对室之在其中沉积第二半导体层于第一层上之第二室内;各室内包括用以在其间之气闸通路中建立实质上单向气体流动之装置;及迫使基质物料之不加层表面趋向一通道壁之装置;其中之改良包括下述之各配合装置:设置在基质之不加层表面所被迫向之通道壁上之至少一个长形槽,槽实质上延伸及通道之长度而工作式连接二相邻室,因而可建立通过有槽气闸通道壁与基质之不加层表面间之空间所界定之通道缝隙之实质上单向气体流动,以实质上减少通过其中之气体自第一室至第二室之反扩散。2.根据上述请求专利部份第1项之装置,在其中,多个相间隔长形槽设制在基质之不加层表面所被迫向之通道壁上。3.根据上述请求专利部份第2项之装置,在其中,各长形槽相间隔成实质上相平行之配置两界定多个平行流动通路。4.根据上述请求专利部份第2项之装置,在其中,进一步包括导引一种惰性清扫气体全通道内之装置。5.根据上述请求专利部份第4项之装置,在其中,惰性清扫气体导引装置适宜就至少50SCCM之速率馈送惰性气体至通道内。6.根据上述请求专利部份第4项之装置,在其中,清扫气体导引装置适宜邻靠通道之一端馈送惰性气体至通道内。7.根据上述请求专利部份第6项之装置,在其中,清扫气体导引装置包括在通道之二端部之中点适宜直接馈送惰性清扫气体至各槽内之装置。8.根据上述请求专利部份第7项之装置,在其中,中间惰性清扫气体装置适宜就至少50SCCM之速率馈送惰性气体至各槽内。 |
