发明名称 Power MOSFET with current control.
摘要 Dem Leistungs-MOSFET (1) ist die Reihenschaltung aus einem weiteren MOSFET (3) mit vergleichsweise kleiner Fläche und einem Widerstand (5) parallel geschaltet. Der weitere MOSFET und der Widerstand sind in eine integrierte, zur Ansteuerung des Leistungs-MOSFET vorgesehene Schaltung integriert.
申请公布号 EP0268249(A2) 申请公布日期 1988.05.25
申请号 EP19870116897 申请日期 1987.11.16
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 EINZINGER, JOSEF, DIPL.-ING.;LEIPOLD, LUDWIG, DIPL.-ING.;TIHANYI, JENOE, DR.;WEBER, ROLAND, DIPL.-ING.
分类号 H01L25/16;H01L25/18;H01L29/78;(IPC1-7):H01L25/14;H01L25/08 主分类号 H01L25/16
代理机构 代理人
主权项
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