| 发明名称 |
PROCESS FOR TREATING SINGLE AREA |
| 摘要 |
PURPOSE:Process for treating single area to improve the stabilization in crystal in Y-axis drawing in 127.86 deg. rotation of LiNbO3. |
| 申请公布号 |
JPS5264698(A) |
申请公布日期 |
1977.05.28 |
| 申请号 |
JP19750140585 |
申请日期 |
1975.11.22 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
NAMIKATA TAKESHI;TAKANO SHIYOUSUKE |
| 分类号 |
H01L41/257;H01B3/00 |
主分类号 |
H01L41/257 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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