| 发明名称 |
DEPOSITION AND HARDENING OF TITANIUM GATE ELECTRODE MATERIAL FOR USE IN INVERTED THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0211370(A3) |
申请公布日期 |
1988.05.18 |
| 申请号 |
EP19860110376 |
申请日期 |
1986.07.28 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
PARKS, HAROLD GEORGE;POSSIN, GEORGE EDWARD |
| 分类号 |
C23C14/08;C23C14/06;C23C14/14;G02F1/133;G02F1/136;G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/84;H01L29/62;H01L21/31 |
主分类号 |
C23C14/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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