| 发明名称 |
Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
US4743567(A) |
申请公布日期 |
1988.05.10 |
| 申请号 |
US19870084657 |
申请日期 |
1987.08.11 |
| 申请人 |
NORTH AMERICAN PHILIPS CORP. |
发明人 |
PANDYA, RANJANA;MARTINEZ, ANDRE M. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/263;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/225 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
