REACTIVE ION ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号JP19870162540-传众专利搜索

发明名称	REACTIVE ION ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPS63104335(A)	申请公布日期	1988.05.09
申请号	JP19870162540	申请日期	1987.07.01
申请人	INTERNATL BUSINESS MACH CORP <IBM>	发明人	RANDEI DEIIN KOSU;AASAA BARII ISURAERU;EDOWAADO HENRII PEIN
分类号	H01L21/302;H01L21/3065	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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