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LE COMPOSANT BICMOS EST REALISE SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM 1 COMPORTANT UNE PREMIERE REGION 8 OU EST FORME UN TRANSISTOR BIPOLAIRE 30, 50, 52, UNE SECONDE REGION 21 OU EST FORME UN PMOSFET 46, 54, 56, ET UNE PARTIE 9 OU EST FORME UN NMOSFET 26, 28, 48.SELON L'INVENTION, LA REGION DE GRILLE DES MOSFETS EST FORMEE AU COURS D'UNE ETAPE SPECIFIQUE, QUI PERMET D'OBTENIR UN ISOLANT DE GRILLE RESTANT PUR ET PARFAITEMENT DEFINI, ASSURANT AINSI UN CONTROLE TRES PRECIS DES TENSIONS DE SEUIL DES MOSFETS.DE PLUS, LES PARAMETRES ELECTRIQUES DE CES MOSFETS DEVIENNENT ENTIEREMENT INDEPENDANTS DES CONDITIONS DE FABRICATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE.ENFIN, CES AMELIORATIONS SE FONT SANS AUGMENTATION DU NOMBRE DES ETAPES DE PROCESSUS; BIEN AU CONTRAIRE, LE PROCEDE DE L'INVENTION PERMET DE REDUIRE LE NOMBRE TOTAL DES ETAPES DE MASQUAGE, TYPIQUEMENT DE DIX (POUR UN PROCEDE CONVENTIONNEL) A HUIT.
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