摘要 |
<P>CE PROCEDE CONSISTE, DANS LA MEME ENCEINTE, A REALISER UN DECAPAGE D'UN SUBSTRAT III-V 2, A FORMER SUR CE SUBSTRAT AU MOINS UNE COUCHE DE PROTECTION 8, 10 DE LA SURFACE DU SUBSTRAT CONSTITUANT LA ZONE ACTIVE 6 DE LA STRUCTURE MIS, OU MEME A REALISER LA COUCHE ACTIVE PAR EPITAXIE, A DEPOSER UNE COUCHE D'ISOLANT 12 PAR CVD A HAUTE TEMPERATURE PRODUITE PAR IRRADIATION DE LA SURFACE DE L'ECHANTILLON 1 AVEC DES LAMPES A HALOGENE, ET EVENTUELLEMENT A FORMER SUR LA COUCHE ISOLANTE 12 UNE COUCHE CONDUCTRICE 14 A HAUTE TEMPERATURE PAR IRRADIATION AVEC LES LAMPES A HALOGENE, ACHEVANT AINSI LA STRUCTURE MIS.</P>
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