发明名称 PROCEDE DE DEPOT EN PHASE VAPEUR PAR FLASH THERMIQUE D'UNE COUCHE ISOLANTE SUR UN SUBSTRAT EN MATERIAU III-V, APPLICATION A LA FABRICATION D'UNE STRUCTURE MIS
摘要 <P>CE PROCEDE CONSISTE, DANS LA MEME ENCEINTE, A REALISER UN DECAPAGE D'UN SUBSTRAT III-V 2, A FORMER SUR CE SUBSTRAT AU MOINS UNE COUCHE DE PROTECTION 8, 10 DE LA SURFACE DU SUBSTRAT CONSTITUANT LA ZONE ACTIVE 6 DE LA STRUCTURE MIS, OU MEME A REALISER LA COUCHE ACTIVE PAR EPITAXIE, A DEPOSER UNE COUCHE D'ISOLANT 12 PAR CVD A HAUTE TEMPERATURE PRODUITE PAR IRRADIATION DE LA SURFACE DE L'ECHANTILLON 1 AVEC DES LAMPES A HALOGENE, ET EVENTUELLEMENT A FORMER SUR LA COUCHE ISOLANTE 12 UNE COUCHE CONDUCTRICE 14 A HAUTE TEMPERATURE PAR IRRADIATION AVEC LES LAMPES A HALOGENE, ACHEVANT AINSI LA STRUCTURE MIS.</P>
申请公布号 FR2605647(A1) 申请公布日期 1988.04.29
申请号 FR19860014896 申请日期 1986.10.27
申请人 NISSIM YVES;BENSOUSSAN MARCEL 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):C23F17/00;C23C16/02;C23C16/30 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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