| 发明名称 |
APPARATUS FOR EPITAXIAL GROWTH OF SILICON |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS6395198(A) |
申请公布日期 |
1988.04.26 |
| 申请号 |
JP19860241688 |
申请日期 |
1986.10.11 |
| 申请人 |
NISSIN ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
OTANI YOSHIAKI;YAMAGUCHI OSAMU;NISHIKAWA KIMITO;KUBOTA KIYOSHI |
| 分类号 |
C30B25/02;C30B25/14;C30B29/06;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
