发明名称 MANUFACTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS6390175(A) 申请公布日期 1988.04.21
申请号 JP19860234358 申请日期 1986.10.03
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 NAGAOKA MASAMI;MATSUDA TETSURO
分类号 H01L29/872;H01L21/28;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/80;H01L29/812 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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